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NIC薄膜芯片电容稳定性高,容值为100pF至0.22μF
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来源:国际电子商情时间:2005-3-25 10:55:36

NIC薄膜芯片电容稳定性高,容值为100pF至0.22μF
时间:2005-1-25  来源:国际电子商情

  

NIC Components公司推出NSHC系列薄膜芯片电容。该器件采用堆栈式金属聚丙烯硫化物(PPS)薄膜结构,有利于获得稳定的性能。据该公司介绍,此系列电容可替代性能相对不太稳定的II类多层陶瓷电容(MLCC)。

  NSHC系列电容提供标准的EIA 0603、0805、1206、1210、1913和2416等规格,电容值在100pF至0.22μF之间,电压值为16Vdc或50Vdc。

  NSHC系列电容不仅性能不随时间、电压和温度变化而变化,而且抗潮湿和破裂,工作温度范围在–55℃至+125℃之间。NSHC系列电容可选择无铅引脚终端,采用卷轴封装。

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