东芝：全球最大储存密度电容器DRAM芯片

2005-12-12

日本东芝公司近日已经在一个SOI晶圆上制造出一款128MB无输出电容器DRAM芯片，正在对这款芯片进行测试运作。 　　在本周举行的电子装置国际会议上，东芝公司展示了这款芯片的运作。声称是全球最大储存密度无输出电容器DRAM芯片。东芝公司报告称，去年二月份在最尖端半导体电路技术国际会议上东芝公司报告了无输出电容器DRAM芯片的设计和模拟效果。。 　　无输出电容器DRAM芯片是在绝缘薄膜下电池产生的浮体效应取代了电容器使用传统的DRAM片储存数据。除了东芝公司外，创新硅公司和瑞萨科技公司也宣布了无输出电容器DRAM芯片的原型，它们早在2000年就开始研究浮体效应电池储存器。 　　东芝公司SoC研究开发中心技术部门AMD公司首席专家Takeshi Hamamoto表示，东芝公司开发的128MB储存容量无输出电容器DRAM芯片是目前新产品中储存密度最大的产品。他说：“128MB储存容量的科技价值是巨大的，它的设计和开发全部依赖于实际应用，如果有必要，在三年内我们将能够在LSI 中使用”。 　　东芝公司指出，无输出电容器DRAM芯片是在六层金属上采用90纳米CMOS制造工艺制作的。电池尺寸为0.17平方微米，大约是传统DRAM电池面积的一半。 　　在这款芯片的制作中，东芝公司工程师推出了部署版面与信号线、电源线等铜线最优化的电池设计，这些铜线帮助芯片达到 了书写时间为10 ns，读取时间为20ns。 　　为了全部完成大规模集成电路的开发，东芝公司还将继续在恶劣的运作环境中对 芯片进行测试，进一步提高芯片的可靠性。